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宏微“高压大电流NPT-IGBT和FRED芯片”达到世界先进水平
具有自主知识产权的“非穿透型高压大电流绝缘栅双极晶体管（NPT-IGBT）芯片系列产品”和“高压大电流外延型超快软恢复二极管（FRED）芯片系列产品”项目2011年10月25日在常州通过来自中国电器工业协会电力电子分会、国家电力电子产品质量监督检验中心、中科院半导体所、清华大学、浙江大学、电子科技大学、北京工业大学和西安工程大学等部门的专家鉴定；部分重点用户代表也参加了本次鉴定会。与会专家一致认为：“75A-100A/1200V-1700V NPT-IGBT芯片”达到国际同类产品的先进水平，其中1200V产品的部分主要性能指标超过国际同类产品的先进水平；“2A-200A/200V-1200V超快软恢复外延型二极管芯片”性能指标达到国际同类产品的先进水平。产品已经实现规模化生产，市场反映良好，已经批量替代进口产品。
具有国际先进水平的国产宏微系列非穿透型高压大电流电力半导体NPT-IGBT和FRED芯片的研制成功，将我国IGBT和FRED的研发和生产水平提高到了一个新的高度，是我国在IGBT 和FRED芯片产业化方面迈出的重要一步。产品可广泛应用于国防、民用工业，医学、交通及新能源、智能电网等领域。大大减少了我国电力电子系统与装置对国外产品的依赖性。减少系统与装置的成本，增加产品在国内外市场的竞争性。有助于电力电子产品这一绿色节能器件在我国不同行业、不同区域的推广应用。有助于推动我国传统产业的更新换代和减少工业污染，提高电能和其它资源的使用效率。
